IGBT的载流子限制效应
[2023-12-22]
IGBT的工艺节点,也就是业内常说的工艺pitch,已经缩小到了1.6um,甚至1.2um。但是目前对于关注静态损耗的场合,仍然可以做到2.4um平台达到1.6um平台差不多的效果。或者说,使用同一工艺平台,不同设计所表现出来的静态损耗水平仍然有明显的差别。 这其中很重要的一个原因是载流子限制效应。 正面沟道注入电子,...
美浦森上海分公司喜迁新址
[2023-11-30]
美浦森上海分公司喜迁新址热烈祝贺美浦森上海分公司2023年11月28日乔迁至上海市浦东新区秀浦路创研智造E12栋103室。全体员工已于今日全部搬迁至新办公区办公。此次乔迁不仅给员工创造了良好的工作环境,同时也扩充了上海应用实验室,新增多台设备,有效支持公司的产品研发和客户服务。在公司乔迁之际,衷心感谢长期以来给予公司大...
热烈祝贺美浦森半导体苏州研发中心成立
[2023-09-22]
9月6日,深圳市美浦森半导体有限公司苏州研发中心正式成立。研发中心位于苏州工业园区酝慧路168号星洲大厦703。 (首席科学家滕渊博士、研发总监王海强先生和供应链总监杨勇先生出席揭幕仪式)苏州研发中...
创新发展!美浦森2023上海慕尼黑电子展
[2023-07-25]
2023年7月13日,蓄力两年的2023慕尼黑上海电子展落幕。深耕功率半导体领域的美浦森带来了多款新产品亮相展会。从“抢芯片”到“去库存”,凛冽寒气持续至今。在低迷的市场中,美浦森坚持勇于创新并持续创新的理念,从未停下研发的脚步,此次展会我们带来的系列产品覆盖了汽车电子,工业,新能源,消费等诸多应用场景。 让我们带您一...
「美浦森半导体」完成A+轮融资
[2023-02-20]
「美浦森半导体」近日完成卓源资本领投的A+轮融资,本轮融资将进一步用于产品迭代升级。美浦森半导体成立于2014年,公司核心主创团队来自于中芯国际、华虹半导体、美国AOS、韩国Power Devices等厂家,拥有15年以上的功率半导体器件研发及市场经验。美浦森半导体聚焦在专业高功率半导体元器件MOSFET/IGBT领域...
最新公告|热烈庆贺美浦森半导体完成A轮融资
[2022-03-16]
2022年3月,由深圳创东方领投,上市公司和而泰股份跟投,完成了深圳市美浦森半导体有限公司(以下简称“美浦森”)近亿元A轮融资。本轮资金将用于包含SJ-MOS、SGT-MOS、SiC器件产品线、IGBT等新产品的扩充和先进工艺研发、吸引高精端人才、并
热烈庆祝美浦森在上海成立研发中心
[2021-07-21]
热烈庆祝美浦森半导体于 7月20日在上海成立研发中心!美浦森半导体的总经理朱勇华先生出席了上海研发中心揭幕仪式,研发中心拥有强大的技术实力和优秀的研发团队!团队成员毕业于清华大学、上海交大等知名学府